收藏本站
IXKC 20N60C
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
min.
typ.
max.
I S
V GS = 0 V
20
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 16 A; V GS = 0 V
I F = 20 A; -di F /dt = 100 A/μs; V R = 480 V
0.9
500
11
70
1.2
800
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
V ISOL
F C
operating
storage
RMS leads-to-tab, 50/60 Hz, f = 1 minute
mounting force
-55...+150
-55...+150
2500
11-65 / 2.4-11
°C
°C
V~
N/lb
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
0.3
2.7
K/W
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523a
2-4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXKC23N60C5 MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
IXKC25N80C MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
IXKC40N60C MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
IXKF40N60SCD1 MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
IXKG25N80C MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
IXKH20N60C5 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXKH24N60C5 MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
IXKH30N60C5 MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
相关代理商/技术参数
IXKC23N60C5 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKC25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKC40N60C 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKF40N60SCD1 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKG25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKH20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKH24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKH30N60C5 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube